生產(chǎn)igbt模塊的上市公司

雷拉

列舉生產(chǎn)igbt上市公司如下：
1.斯達(dá)半導(dǎo)。公司2021年上半年?duì)I收
7.1億，凈利潤(rùn)
1.5億。公司以IGBT為主的功率半導(dǎo)體芯片和模塊的設(shè)計(jì)研發(fā)和生產(chǎn)，并以IGBT模塊形式對(duì)外實(shí)現(xiàn)銷售。公司擁有IGBT模塊的設(shè)計(jì)和應(yīng)用專家，并成立了專門的應(yīng)用部，能夠快速、準(zhǔn)確地理解客戶的個(gè)性化需求，并將這種需求轉(zhuǎn)化成產(chǎn)品要求;同時(shí)，公司建立了將客戶需求快速有效地轉(zhuǎn)化成產(chǎn)品的新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)機(jī)制，目前公司已形成上百種個(gè)性化產(chǎn)品，這些個(gè)性化產(chǎn)品成為公司保持與現(xiàn)有客戶長(zhǎng)期穩(wěn)定合作的重要基礎(chǔ);另外，與國(guó)際品牌廠商相比，作為IGBT模塊的國(guó)產(chǎn)廠商，公司采用了直銷模式，直接與客戶對(duì)接，從而進(jìn)一步提升了服務(wù)客戶的效率。
2.新潔能。公司2021年上半年?duì)I收
6.78億，凈利潤(rùn)
1.75億。公司的主營(yíng)業(yè)務(wù)為MOSFET、IGBT等半導(dǎo)體芯片和功率器件的研發(fā)設(shè)計(jì)及銷售，公司銷售的產(chǎn)品按照是否封裝可以分為芯片和功率器件。公司基于全球半導(dǎo)體功率器件先進(jìn)理論技術(shù)開(kāi)發(fā)領(lǐng)先產(chǎn)品，是國(guó)內(nèi)率先掌握超結(jié)理論技術(shù)，并量產(chǎn)屏蔽柵功率MOSFET及超結(jié)功率MOSFET的企業(yè)之一，是國(guó)內(nèi)最早同時(shí)擁有溝槽型功率MOSFET、超結(jié)功率MOSFET、屏蔽柵功率MOSFET及IGBT四大產(chǎn)品平臺(tái)的本土企業(yè)之一。
3.華微電子。公司2021年上半年?duì)I收
9.9億，凈利潤(rùn)2661萬(wàn)。公司主要從事功率半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)研發(fā)、芯片制造、封裝測(cè)試、銷售等業(yè)務(wù)。公司發(fā)揮自身產(chǎn)品設(shè)計(jì)、工藝設(shè)計(jì)等綜合技術(shù)優(yōu)勢(shì)，已建立從高端二極管、單雙向可控硅、MOS系列產(chǎn)品到第六代IGBT國(guó)內(nèi)最齊全、最具競(jìng)爭(zhēng)力的功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)品體系，正逐步由單一器件供應(yīng)商向整體解決方案供應(yīng)商轉(zhuǎn)變;同時(shí)公司積極向新能源汽車、軍工等領(lǐng)域快速拓展，并已取得明顯效果，為公司發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。
4.臺(tái)基股份。公司2021年上半年?duì)I收
1.6億，凈利潤(rùn)3300萬(wàn)。IGBT模塊是公司重點(diǎn)發(fā)展的主營(yíng)業(yè)務(wù)之一，公司通過(guò)自主研發(fā)和外部引進(jìn)，已經(jīng)掌握了工業(yè)級(jí)IGBT模塊的封測(cè)技術(shù)。公司IGBT模塊封測(cè)的關(guān)鍵技術(shù)和產(chǎn)品指標(biāo)處于行業(yè)先進(jìn)水平，且具有完全自主的知識(shí)產(chǎn)權(quán)。公司大功率IGBT已經(jīng)量產(chǎn)，并積極開(kāi)展產(chǎn)學(xué)研合作，持續(xù)跟蹤SiC、 GaN等第三代寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)和應(yīng)用。
5.宏微科技。公司2021年上半年?duì)I收
2.334億，凈利潤(rùn)3100萬(wàn)。公司主要產(chǎn)品包括 IGBT、FRED 芯片、單管和模塊。公司 IGBT 單管芯片全部來(lái)自自研，模塊產(chǎn)品芯片自研外購(gòu)并舉。公司產(chǎn)品主要用于工業(yè) 控制、新能源和變頻白色家電領(lǐng)域。隨著碳中和，新能源汽車和工業(yè)控制領(lǐng)域的發(fā)展，國(guó)內(nèi)igbt的需求會(huì)越來(lái)越大，未來(lái)igbt是一個(gè)值得關(guān)注的領(lǐng)域。